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硅靶材(Si)

Si target

眾誠達

金屬靶材

硅靶材(Si)

良好的硬度
光學性能
耐磨性
耐腐蝕性

產(chǎn)品介紹

硅靶材是一種用于 PVD鍍膜的材料,主要用于沉積氧化硅、氮化硅和氫化硅等介質(zhì)層。硅靶材可分為晶硅和Hsi兩種,通常為深灰色,具有半金屬的外觀,密度約為2.33g/cm3。其熔點為1414℃,沸點為3265℃,具有較高的導熱系數(shù)(149W·m?1·K?1),導熱性良好。此外,硅靶材具有良好的硬度、光學性能和耐磨性,且耐腐蝕性優(yōu)異,是薄膜沉積領(lǐng)域的核心優(yōu)選耗材,也是當前PVD鍍膜領(lǐng)域用量較大的硅靶材品類。

硅靶材的優(yōu)異特性

  • 高純度,確保薄膜性能穩(wěn)定

    硅靶材中晶硅純度為99.999%(5N),Hsi純度為99.99%(4N),高純度特性可有效保障濺射薄膜性能穩(wěn)定,無雜質(zhì)干擾,滿足高端鍍膜工藝的嚴苛要求,彰顯硅靶材的核心品質(zhì)優(yōu)勢,是高端薄膜沉積的核心前提。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻性與致密性

    在PVD工藝中,硅靶材具有較高的濺射效率,適配多種真空鍍膜設備。同時,其硅原子與常見襯底(如玻璃、金屬、硅片)間具有良好附著性,可形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、不易剝落的薄膜,滿足高可靠性要求,保障濺射品質(zhì),凸顯硅靶材的工藝優(yōu)勢。

  • 良好的濺射速率與附著性

    硅靶材良好的導熱性可快速散發(fā)其表面熱量,防止局部過熱。同時,其導電性是磁控濺射的前提,有助于實現(xiàn)高效鍍膜,提升生產(chǎn)效率,適配規(guī)模化鍍膜需求,進一步擴大硅靶材的應用范圍。


硅靶材的廣泛應用

  1. 光學器件制造

    高純度硅靶材因其高純度能夠保證光學器件的清晰、穩(wěn)定和精度,可提高光學器件的性能和可靠性。在抗反射層和保護層應用中,在光纖通訊和集成光學電路中,硅靶材制備的二氧化硅薄膜作為光波導材料,用于傳輸和處理光信號,凸顯其在光學領(lǐng)域的核心價值,是高端光學器件制造的關(guān)鍵硅靶材。

  2. 半導體制造

    硅靶材用于制備LED的襯底和封裝材料,可提高LED的發(fā)光效率和穩(wěn)定性,成為半導體及LED制造不可或缺的關(guān)鍵材料,助力半導體產(chǎn)業(yè)向高端化、小型化升級,是半導體領(lǐng)域核心硅靶材應用場景。

  3. 傳感器制造

    硅靶材用于制備傳感器的敏感元件和信號處理電路,可提高傳感器的靈敏度和準確性,適配傳感器高端制造需求,拓展其應用場景,成為高端傳感器制造的核心鍍膜材料。


技術(shù)特性

  • 純度

    純度

    晶硅純度為99.999%,Hsi純度為99.99%

  • 密度

    密度

    2.33 g/cm³

產(chǎn)品視頻

應用場景

  • 光學器件制造

    光學器件制造

  • 半導體保護層

    半導體保護層

  • 傳感器制造

    傳感器制造

  • 人臉識別

    人臉識別

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