產(chǎn)品介紹
硅靶材的優(yōu)異特性
高純度,確保薄膜性能穩(wěn)定
硅靶材中晶硅純度為99.999%(5N),Hsi純度為99.99%(4N),高純度特性可有效保障濺射薄膜性能穩(wěn)定,無雜質(zhì)干擾,滿足高端鍍膜工藝的嚴苛要求,彰顯硅靶材的核心品質(zhì)優(yōu)勢,是高端薄膜沉積的核心前提。
優(yōu)異的薄膜均勻性與致密性
在PVD工藝中,硅靶材具有較高的濺射效率,適配多種真空鍍膜設備。同時,其硅原子與常見襯底(如玻璃、金屬、硅片)間具有良好附著性,可形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、不易剝落的薄膜,滿足高可靠性要求,保障濺射品質(zhì),凸顯硅靶材的工藝優(yōu)勢。
良好的濺射速率與附著性
硅靶材良好的導熱性可快速散發(fā)其表面熱量,防止局部過熱。同時,其導電性是磁控濺射的前提,有助于實現(xiàn)高效鍍膜,提升生產(chǎn)效率,適配規(guī)模化鍍膜需求,進一步擴大硅靶材的應用范圍。
硅靶材的廣泛應用
光學器件制造
高純度硅靶材因其高純度能夠保證光學器件的清晰、穩(wěn)定和精度,可提高光學器件的性能和可靠性。在抗反射層和保護層應用中,在光纖通訊和集成光學電路中,硅靶材制備的二氧化硅薄膜作為光波導材料,用于傳輸和處理光信號,凸顯其在光學領(lǐng)域的核心價值,是高端光學器件制造的關(guān)鍵硅靶材。
半導體制造
硅靶材用于制備LED的襯底和封裝材料,可提高LED的發(fā)光效率和穩(wěn)定性,成為半導體及LED制造不可或缺的關(guān)鍵材料,助力半導體產(chǎn)業(yè)向高端化、小型化升級,是半導體領(lǐng)域核心硅靶材應用場景。
傳感器制造
硅靶材用于制備傳感器的敏感元件和信號處理電路,可提高傳感器的靈敏度和準確性,適配傳感器高端制造需求,拓展其應用場景,成為高端傳感器制造的核心鍍膜材料。
技術(shù)特性

純度
晶硅純度為99.999%,Hsi純度為99.99%

密度
2.33 g/cm³
應用場景
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