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主要靶材：Cu、 Ti、 W、 SS、 AI、 Si、Ni、Mo、 Cr、 Ta、 Ag、 Au、 Pt、 Ir、  Sc、 AISC、NiFe、NiCr、 NiCu、 WTi、AICu、PZT、LNO、NiV

蒸鍍材料：Cu、Ni、Ti、W、AI、Mo、Cr、Ta、Ag、Au、Pt、Ir、Y

以上靶材是半導(dǎo)體制造不可或缺的關(guān)鍵材料，在先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體、MEMS 器件及各類電子元器件等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。通過(guò)濺射沉積，靶材可在晶圓或基板表面形成導(dǎo)電層、阻擋層、絕緣層及功能性膜層，顯著提升器件性能、可靠性和良率，滿足先進(jìn)工藝對(duì)薄膜厚度、均勻性和穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。

1. 先進(jìn)封裝

在倒裝芯片、扇出型封裝、3D 堆疊等先進(jìn)封裝工藝中，靶材用于沉積金屬互連層、擴(kuò)散阻擋層、再布線層等關(guān)鍵膜層，提高封裝密度、信號(hào)傳輸速度和熱管理能力，同時(shí)增強(qiáng)膜層附著力與長(zhǎng)期可靠性。

2. 第三代半導(dǎo)體

在 SiC、GaN 等第三代半導(dǎo)體功率器件制造中，靶材被用于制備電極、阻擋層、保護(hù)膜及功能膜層，可在高溫、高壓、高頻環(huán)境下保持優(yōu)異的導(dǎo)電性與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，滿足功率器件對(duì)材料耐久性和穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。

3. MEMS 器件

在 MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（如壓力傳感器、加速度計(jì)、陀螺儀等）制造中，靶材可沉積敏感膜、功能膜和保護(hù)膜，確保器件在微小尺寸下依然具備高靈敏度、高可靠性和穩(wěn)定性能。

4. 電子元器件

在各類電子元器件（包括電容、電阻、傳感器、開(kāi)關(guān)器件等）生產(chǎn)中，靶材用于形成導(dǎo)電層、介電層和封裝保護(hù)層，有效提升器件導(dǎo)電性能、絕緣能力及耐環(huán)境性能，延長(zhǎng)使用壽命并保持性能穩(wěn)定。