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碳化硅靶材(SiC)

眾誠達

陶瓷靶材

碳化硅靶材(SiC)

高純度
超高硬度
優(yōu)異的熱導(dǎo)率
致密均勻

產(chǎn)品介紹

碳化硅靶材(SiC Target)是以高純度碳化硅粉末為原料,耐高溫、耐腐蝕,具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和熱導(dǎo)率,尤其適合在嚴苛工況下沉積高性能薄膜。它是半導(dǎo)體、光伏、光學(xué)等行業(yè)常用的重要功能材料。在磁控濺射和物理氣相沉積(PVD)等鍍膜工藝中,碳化硅靶材可實現(xiàn)高沉積速率,制備出致密、均勻且附著力強的膜層。碳化硅靶材的鍍膜硬度高、耐磨性和耐腐蝕性突出,能有效提升基材表面的使用壽命與性能穩(wěn)定性,彰顯碳化硅靶材的核心優(yōu)勢。憑借優(yōu)異的綜合性能,碳化硅靶材廣泛應(yīng)用于高端制造、航空航天、電子等領(lǐng)域,成為多行業(yè)高端涂層制備的優(yōu)選材料。

碳化硅靶材核心優(yōu)勢

  • 高純度,薄膜更潔凈

    碳化硅靶材采用高純度SiC原料,雜質(zhì)金屬含量<100ppm;沉積出的薄膜缺陷點少、顆粒少,電性能和光學(xué)性能穩(wěn)定,適合高端電子器件。

  • 超高硬度與耐磨性

    在高功率濺射下不易剝落、不開裂,靶材壽命比普通陶瓷靶延長30%以上;減少靶材顆粒污染,提高產(chǎn)線良率。

  • 優(yōu)異的熱導(dǎo)率與抗熱震性

    適合長時間連續(xù)沉積,能快速散熱,允許更高功率密度濺射;不易因冷熱沖擊導(dǎo)致開裂。

  • 組織致密均勻,膜層一致性好

    碳化硅靶材密度高,顆粒分布均勻,沉積速率高、膜厚均勻度好;大尺寸靶材也能保持穩(wěn)定品質(zhì)。


碳化硅靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域

  1.  半導(dǎo)體制造

    用于功率器件、射頻器件、MEMS傳感器等薄膜沉積;通過磁控濺射等工藝形成致密、高絕緣性薄膜,提高器件耐壓、耐溫與穩(wěn)定性。

  2. 顯示面板

    在LCD、OLED、Micro-LED、柔性屏中,碳化硅靶材用作硬質(zhì)保護膜或緩沖層;提升屏幕耐刮擦性、化學(xué)穩(wěn)定性,同時保證光學(xué)透過率與觸控靈敏度。

  3. 光伏行業(yè)

    作為晶體硅或薄膜太陽能電池的抗反射層、保護膜或緩沖層;提高光吸收效率、降低反射損失,并增強電池長期穩(wěn)定性與耐久性。

  4. 光學(xué)器件制造

    用于透鏡、濾光片、棱鏡等光學(xué)元件表面鍍膜;可調(diào)控膜層折射率和透光率,實現(xiàn)防反射、濾波或高反射功能,適用于激光光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。

  5. 裝飾鍍膜

    在手機、手表、汽車內(nèi)飾及精密零件表面形成高硬度、耐磨膜層;提供美觀的金屬質(zhì)感,同時延長產(chǎn)品使用壽命。


技術(shù)特性

  • 純度

    純度

    99.9%-99.999%

  • 密度

    密度

    3.21 g/cm³‌

應(yīng)用場景

  • 半導(dǎo)體制造

    半導(dǎo)體制造

  • 顯示面板

    顯示面板

  • 光學(xué)器件制造

    光學(xué)器件制造

  • 裝飾鍍膜

    裝飾鍍膜

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